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NGTB15N120FL2WG

NGTB15N120FL2WG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB15N120FL2WG
PNEDA Teilenummer NGTB15N120FL2WG
Beschreibung IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.827
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NGTB15N120FL2WG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB15N120FL2WG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTB15N120FL2WG, NGTB15N120FL2WG Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 267,53 KB)
PDFNGTB15N120FL2WG Datenblatt Cover
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NGTB15N120FL2WG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 15A
Leistung - max294W
Schaltenergie1.2mJ (on), 370µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge109nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.64ns/132ns
Testbedingung600V, 15A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)110ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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FGY75T95LQDT

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

950V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.69V @ 15V, 75A

Leistung - max

453W

Schaltenergie

2mJ (on), 1.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

663.3nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/496ns

Testbedingung

600V, 37.5A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

259ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

SGW25N120FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

46A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

313W

Schaltenergie

3.7mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/730ns

Testbedingung

800V, 25A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

STGP10H60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 10A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

83µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

57nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19.5ns/103ns

Testbedingung

400V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

107ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

RJH60D1DPE-00#J3

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

52W

Schaltenergie

100µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/42ns

Testbedingung

300V, 10A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-83

Lieferantengerätepaket

4-LDPAK

IXSH50N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

3.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

167nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/150ns

Testbedingung

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

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