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NE66219-A

NE66219-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE66219-A
PNEDA Teilenummer NE66219-A
Beschreibung RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
Hersteller CEL
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Auf Lager 3.942
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NE66219-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE66219-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE66219-A, NE66219-A Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 1.132,15 KB)
PDF2SC5606-A Datenblatt Cover
2SC5606-A Datenblatt Seite 2 2SC5606-A Datenblatt Seite 3 2SC5606-A Datenblatt Seite 4 2SC5606-A Datenblatt Seite 5 2SC5606-A Datenblatt Seite 6 2SC5606-A Datenblatt Seite 7

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NE66219-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3.3V
Frequenz - Übergang21GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 2GHz
Gewinn14dB
Leistung - max115mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-523
LieferantengerätepaketSOT-523

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Hersteller

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-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

18GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

600mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

CMPAK-4

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.03GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.9dB

Leistung - max

8750W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

55TU-1

Lieferantengerätepaket

55TU-1

2SC5551AF-TD-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

3.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

1.3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

135 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PCP

62144

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

PH3134-55L

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.5dB

Leistung - max

55W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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