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NE46234-T1-AZ

NE46234-T1-AZ

Nur als Referenz

Teilenummer NE46234-T1-AZ
PNEDA Teilenummer NE46234-T1-AZ
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89
Hersteller CEL
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Auf Lager 6.606
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NE46234-T1-AZ Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE46234-T1-AZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE46234-T1-AZ, NE46234-T1-AZ Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 1.392,98 KB)
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NE46234-T1-AZ Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang6GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2.3dB @ 1GHz
Gewinn8.3dB
Leistung - max1.8W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

Gewinn

11.6dB

Leistung - max

6.4W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

UMIL25

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

33V

Frequenz - Übergang

225MHz ~ 400MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.9db ~ 10dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55HV

Lieferantengerätepaket

55HV

MRF904

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 450MHz

Gewinn

6.5dB ~ 10.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

MT3S20P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.45dB @ 1GHz

Gewinn

16.5dB

Leistung - max

1.8W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PW-MINI

2SC22950BL

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

250MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.8dB ~ 4dB @ 5MHz

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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