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NE3516S02-T1C-A

NE3516S02-T1C-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE3516S02-T1C-A
PNEDA Teilenummer NE3516S02-T1C-A
Beschreibung IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
Hersteller CEL
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Auf Lager 5.760
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE3516S02-T1C-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE3516S02-T1C-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
NE3516S02-T1C-A, NE3516S02-T1C-A Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 1.199,77 KB)
PDFNE3516S02-A Datenblatt Cover
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NE3516S02-T1C-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypN-Channel GaAs HJ-FET
Frequenz12GHz
Gewinn14dB
Spannungstest2V
Nennstrom (Ampere)60mA
Rauschzahl0.35dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung165mW
Spannung - Nennspannung4V
Paket / Fall4-SMD, Flat Leads
LieferantengerätepaketS02

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

220MHz

Gewinn

25.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

TO-270AB

Lieferantengerätepaket

TO-270 WB-4

SD2904

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

400MHz

Gewinn

11.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

5A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

M113

Lieferantengerätepaket

M113

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

512MHz

Gewinn

25.9dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

NI-360

Lieferantengerätepaket

NI-360

BLF0910H6L500U

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

900MHz ~ 930MHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

90mA

Leistung - Leistung

500W

Spannung - Nennspannung

114.5V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

SOT502A

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

1MHz ~ 2.7GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

5mA

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

NI-360H-2SB

Lieferantengerätepaket

NI-360H-2SB

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