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MRF6V2300NR1

MRF6V2300NR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6V2300NR1
PNEDA Teilenummer MRF6V2300NR1
Beschreibung FET RF 110V 220MHZ TO-270-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.984
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF6V2300NR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6V2300NR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6V2300NR1, MRF6V2300NR1 Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 1.252,73 KB)
PDFMRF6V2300NR5 Datenblatt Cover
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MRF6V2300NR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz220MHz
Gewinn25.5dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest900mA
Leistung - Leistung300W
Spannung - Nennspannung110V
Paket / FallTO-270AB
LieferantengerätepaketTO-270 WB-4

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

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-

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

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Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

230MHz

Gewinn

25dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

130V

Paket / Fall

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

108MHz

Gewinn

28dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

40mA

Leistung - Leistung

1400W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.03GHz ~ 1.09GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

49A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

LDMOST

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