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NDS8958

NDS8958

Nur als Referenz

Teilenummer NDS8958
PNEDA Teilenummer NDS8958
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.166
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NDS8958 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNDS8958
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NDS8958, NDS8958 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 222,6 KB)
PDFNDS8958 Datenblatt Cover
NDS8958 Datenblatt Seite 2 NDS8958 Datenblatt Seite 3 NDS8958 Datenblatt Seite 4 NDS8958 Datenblatt Seite 5 NDS8958 Datenblatt Seite 6 NDS8958 Datenblatt Seite 7 NDS8958 Datenblatt Seite 8 NDS8958 Datenblatt Seite 9 NDS8958 Datenblatt Seite 10

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NDS8958 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.3A, 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds720pF @ 15V
Leistung - max900mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.4nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2953pF @ 25V

Leistung - max

64W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-1205, 8-LFPAK56

Lieferantengerätepaket

LFPAK56D

FDC6302P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.31nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

IRFH4251DTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

FASTIRFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

64A, 188A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1314pF @ 13V

Leistung - max

31W, 63W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PQFN (5x6)

NTLUD3A260PZTAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 25V

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