IRFH4251DTRPBF
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| Teilenummer | IRFH4251DTRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRFH4251DTRPBF |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.582 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFH4251DTRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRFH4251DTRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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IRFH4251DTRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | FASTIRFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 64A, 188A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1314pF @ 13V |
| Leistung - max | 31W, 63W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PQFN (5x6) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie PowerPAIR®, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Tc), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 15V, 650pF @ 15V Leistung - max 16W, 16.7W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-Power33 (3x3) |
