Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BUK9K13-60EX

BUK9K13-60EX

Nur als Referenz

Teilenummer BUK9K13-60EX
PNEDA Teilenummer BUK9K13-60EX
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.280
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BUK9K13-60EX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK9K13-60EX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
BUK9K13-60EX, BUK9K13-60EX Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 718,64 KB)
PDFBUK9K13-60EX Datenblatt Cover
BUK9K13-60EX Datenblatt Seite 2 BUK9K13-60EX Datenblatt Seite 3 BUK9K13-60EX Datenblatt Seite 4 BUK9K13-60EX Datenblatt Seite 5 BUK9K13-60EX Datenblatt Seite 6 BUK9K13-60EX Datenblatt Seite 7 BUK9K13-60EX Datenblatt Seite 8 BUK9K13-60EX Datenblatt Seite 9 BUK9K13-60EX Datenblatt Seite 10 BUK9K13-60EX Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BUK9K13-60EX Datasheet
  • where to find BUK9K13-60EX
  • Nexperia

  • Nexperia BUK9K13-60EX
  • BUK9K13-60EX PDF Datasheet
  • BUK9K13-60EX Stock

  • BUK9K13-60EX Pinout
  • Datasheet BUK9K13-60EX
  • BUK9K13-60EX Supplier

  • Nexperia Distributor
  • BUK9K13-60EX Price
  • BUK9K13-60EX Distributor

BUK9K13-60EX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.4nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2953pF @ 25V
Leistung - max64W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-1205, 8-LFPAK56
LieferantengerätepaketLFPAK56D

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FF6MR12W2M1B11BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.63mOhm @ 200A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

496nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14700pF @ 800V

Leistung - max

20mW (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

AG-EASY2BM-2

BSO612CV

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

P-DSO-8

DMPH6050SPDQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1525pF @ 30V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

DMTH6010LPD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13.1A (Ta), 47.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2615pF @ 30V

Leistung - max

2.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

DMN2004DWKQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

540mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.95nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

Leistung - max

200mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

Kürzlich verkauft

SD4933MR

SD4933MR

STMicroelectronics

TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177

MAX3221EETE+

MAX3221EETE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 16TQFN

TXH 120-112

TXH 120-112

Traco Power

AC/DC CONVERTER 12V 120W

AP1533SG-13

AP1533SG-13

Diodes Incorporated

IC REG BUCK ADJUSTABLE 1.8A 8SOP

AT28HC256-12SI

AT28HC256-12SI

Microchip Technology

IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC

MF-MSMF075-2

MF-MSMF075-2

Bourns

PTC RESET FUSE 13.2V 750MA 1812

VLCF4020T-2R2N1R7

VLCF4020T-2R2N1R7

TDK

FIXED IND 2.2UH 1.72A 59 MOHM

ISL6263BHRZ

ISL6263BHRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CONV INTEL 1OUT 32QFN

STBB1-APUR

STBB1-APUR

STMicroelectronics

IC REG BCK BST ADJ 1.6A 10DFN

SUCS62405C

SUCS62405C

Cosel

DC DC CONVERTER 5V

MT41J512M8RH-093:E

MT41J512M8RH-093:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

744232161

744232161

Wurth Electronics

CMC 340MA 2LN 160 OHM SMD