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MRF9135LR3

MRF9135LR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF9135LR3
PNEDA Teilenummer MRF9135LR3
Beschreibung FET RF 65V 880MHZ NI-780
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.716
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MRF9135LR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF9135LR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF9135LR3, MRF9135LR3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 356,48 KB)
PDFMRF9135LR3 Datenblatt Cover
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MRF9135LR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz880MHz
Gewinn17.8dB
Spannungstest26V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.1A
Leistung - Leistung25W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-957A
LieferantengerätepaketNI-780H-2L

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-

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Gewinn

10.8dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

1A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

1.2W

Spannung - Nennspannung

20V

Paket / Fall

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

400MHz

Gewinn

32dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1.3dB

Stromtest

19mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

6V

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

130mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-270AA

Lieferantengerätepaket

TO-270-2

ARF440

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

13.56MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

11A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

125W

Spannung - Nennspannung

150V

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

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