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MRF6S20010NR1

MRF6S20010NR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6S20010NR1
PNEDA Teilenummer MRF6S20010NR1
Beschreibung FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.976
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MRF6S20010NR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6S20010NR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6S20010NR1, MRF6S20010NR1 Datenblatt (Total Pages: 28, Größe: 959,79 KB)
PDFMRF6S20010NR1 Datenblatt Cover
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MRF6S20010NR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.17GHz
Gewinn15.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest130mA
Leistung - Leistung10W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallTO-270AA
LieferantengerätepaketTO-270-2

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Serie

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Gewinn

16dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

14A

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

72V

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M246

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

30MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

40A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

200V

Paket / Fall

M177

Lieferantengerätepaket

M177

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

7mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

33W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

29W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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