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MRF6S9060NBR1

MRF6S9060NBR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6S9060NBR1
PNEDA Teilenummer MRF6S9060NBR1
Beschreibung FET RF 68V 880MHZ TO-272-2
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.472
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF6S9060NBR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6S9060NBR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6S9060NBR1, MRF6S9060NBR1 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 848,69 KB)
PDFMRF6S9060NR1 Datenblatt Cover
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MRF6S9060NBR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz880MHz
Gewinn21.4dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest450mA
Leistung - Leistung14W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallTO-272BC
LieferantengerätepaketTO-272-2

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Gewinn

18dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

900W

Spannung - Nennspannung

120V

Paket / Fall

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SOT539B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

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Rauschzahl

-

Stromtest

-

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-

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

870MHz

Gewinn

16.2dB

Spannungstest

7.5V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

17.7dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.4A

Leistung - Leistung

80W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz

Gewinn

12.5dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

25mA

Leistung - Leistung

4W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-200S

Lieferantengerätepaket

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