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MRF7S19100NBR1

MRF7S19100NBR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF7S19100NBR1
PNEDA Teilenummer MRF7S19100NBR1
Beschreibung FET RF 65V 1.99GHZ TO272-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.400
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF7S19100NBR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF7S19100NBR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF7S19100NBR1, MRF7S19100NBR1 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 656,92 KB)
PDFMRF7S19100NR1 Datenblatt Cover
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MRF7S19100NBR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.93GHz ~ 1.99GHz
Gewinn17.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1A
Leistung - Leistung29W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallTO-272BB
LieferantengerätepaketTO-272 WB-4

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.9A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-860C3

Lieferantengerätepaket

NI-860C3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

19.7dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.5A

Leistung - Leistung

33W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

180mA

Leistung - Leistung

450mW

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

BG 5130R E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 N-Channel (Dual)

Frequenz

800MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

1.3dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

CGH27030S

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

6GHz

Gewinn

18.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

84V

Paket / Fall

12-VFDFN Exposed Pad

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12-DFN (4x3)

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