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RFM01U7P(TE12L,F)

RFM01U7P(TE12L,F)

Nur als Referenz

Teilenummer RFM01U7P(TE12L,F)
PNEDA Teilenummer RFM01U7P-TE12L-F
Beschreibung MOSFET N-CH PW-MINI
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 8.856
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RFM01U7P(TE12L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRFM01U7P(TE12L,F)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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RFM01U7P(TE12L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
TransistortypN-Channel
Frequenz520MHz
Gewinn10.8dB
Spannungstest7.2V
Nennstrom (Ampere)1A
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung1.2W
Spannung - Nennspannung20V
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketPW-MINI

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

17.5dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

100mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

14.6dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

0505 (1412 Metric)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

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Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

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Leistung - Leistung

63W

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

LDMOS

Frequenz

470MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

E-pHEMT

Frequenz

2GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

4.5V

Nennstrom (Ampere)

500mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

27dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

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Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

120mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

60mA

Leistung - Leistung

21.4dBm

Spannung - Nennspannung

5V

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