MRF7S21110HR5
Nur als Referenz
| Teilenummer | MRF7S21110HR5 |
| PNEDA Teilenummer | MRF7S21110HR5 |
| Beschreibung | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.708 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 1 - Mär 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MRF7S21110HR5 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MRF7S21110HR5 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
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MRF7S21110HR5 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 2.17GHz |
| Gewinn | 17.3dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | - |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 1.1A |
| Leistung - Leistung | 33W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT-957A |
| Lieferantengerätepaket | NI-780H-2L |
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Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 425MHz ~ 450MHz Gewinn 19.5dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) 4.2µA Rauschzahl - Stromtest 350mA Leistung - Leistung 200W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT-1270-1 Lieferantengerätepaket SOT-1270-1 |
Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie - Transistortyp N-Channel Frequenz 150MHz Gewinn 11.8dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) 13A Rauschzahl 3dB Stromtest 2A Leistung - Leistung 125W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall 211-11, Style 2 Lieferantengerätepaket 211-11, Style 2 |
Hersteller Infineon Technologies Serie * Transistortyp - Frequenz - Gewinn - Spannungstest - Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest - Leistung - Leistung - Spannung - Nennspannung - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Cree/Wolfspeed Serie GaN Transistortyp HEMT Frequenz 4.5GHz ~ 6GHz Gewinn 11dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 250mA Leistung - Leistung 30W Spannung - Nennspannung 84V Paket / Fall 440166 Lieferantengerätepaket 440166 |
