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NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE3513M04-T2B-A
PNEDA Teilenummer NE3513M04-T2B-A
Beschreibung FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
Hersteller CEL
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE3513M04-T2B-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE3513M04-T2B-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
NE3513M04-T2B-A, NE3513M04-T2B-A Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 1.413,08 KB)
PDFNE3513M04-T2B-A Datenblatt Cover
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NE3513M04-T2B-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypN-Channel GaAs HJ-FET
Frequenz12GHz
Gewinn13dB
Spannungstest2V
Nennstrom (Ampere)60mA
Rauschzahl0.65dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung125mW
Spannung - Nennspannung4V
Paket / Fall4-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket4-Super Mini Mold

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

224.25MHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

13A

Rauschzahl

-

Stromtest

3A

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-119A

Lieferantengerätepaket

CDFM6

MAMG-002735-085L0L

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

2.7GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

25dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

4.2A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

85W

Spannung - Nennspannung

53V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.03GHz

Gewinn

20.3dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

275W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

PD55008TR-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

500MHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

4A

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

8W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.8MHz ~ 400MHz

Gewinn

26.4dB

Spannungstest

65V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

179V

Paket / Fall

NI-780S-4L

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4L

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