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MRF5P21180HR6

MRF5P21180HR6

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5P21180HR6
PNEDA Teilenummer MRF5P21180HR6
Beschreibung FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.686
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF5P21180HR6 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5P21180HR6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF5P21180HR6, MRF5P21180HR6 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 444,85 KB)
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MRF5P21180HR6 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.16GHz
Gewinn14dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.6A
Leistung - Leistung38W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-1230
LieferantengerätepaketNI-1230

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-

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

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Frequenz

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Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

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100mA

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.3GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1121B

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

20.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

950mA

Leistung - Leistung

27W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-272 WB-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.1GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

120W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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