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BLF647PSJ

BLF647PSJ

Nur als Referenz

Teilenummer BLF647PSJ
PNEDA Teilenummer BLF647PSJ
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 3.978
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLF647PSJ Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF647PSJ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF647PSJ, BLF647PSJ Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 1.017,17 KB)
PDFBLF647PSJ Datenblatt Cover
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BLF647PSJ Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz1.3GHz
Gewinn17.5dB
Spannungstest32V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung200W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1121B
LieferantengerätepaketLDMOST

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Serie

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Frequenz

-

Gewinn

-

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-

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25A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

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Spannung - Nennspannung

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

16.2dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

570W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1258-4

Lieferantengerätepaket

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.3GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1244B

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microwave Technology Inc.

Serie

-

Transistortyp

MESFET

Frequenz

100MHz ~ 12GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

240mA

Rauschzahl

2dB

Stromtest

240mA

Leistung - Leistung

300mW

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

Nonstandard SMD

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

123MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

100V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

200V

Paket / Fall

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