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SD56120

SD56120

Nur als Referenz

Teilenummer SD56120
PNEDA Teilenummer SD56120
Beschreibung FET RF 65V 860MHZ M246
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 7.272
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SD56120 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSD56120
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
SD56120, SD56120 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 224,57 KB)
PDFSD56120 Datenblatt Cover
SD56120 Datenblatt Seite 2 SD56120 Datenblatt Seite 3 SD56120 Datenblatt Seite 4 SD56120 Datenblatt Seite 5 SD56120 Datenblatt Seite 6 SD56120 Datenblatt Seite 7 SD56120 Datenblatt Seite 8 SD56120 Datenblatt Seite 9 SD56120 Datenblatt Seite 10 SD56120 Datenblatt Seite 11

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SD56120 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz860MHz
Gewinn16dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)14A
Rauschzahl-
Stromtest400mA
Leistung - Leistung100W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallM246
LieferantengerätepaketM246

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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860MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

60mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

104V

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Serie

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Frequenz

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Gewinn

15.5dB

Spannungstest

4.5V

Nennstrom (Ampere)

1A

Rauschzahl

1.1dB

Stromtest

280mA

Leistung - Leistung

29dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

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Gewinn

11dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

80mA

Leistung - Leistung

4.5W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

TO-272-2

Lieferantengerätepaket

TO-272-2

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

28dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

80mA

Leistung - Leistung

8W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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