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MRF21010LSR1

MRF21010LSR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF21010LSR1
PNEDA Teilenummer MRF21010LSR1
Beschreibung FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S
Hersteller NXP
Stückpreis
1 ---------- $1.468,9972
50 ---------- $1.400,1380
100 ---------- $1.331,2788
200 ---------- $1.262,4195
400 ---------- $1.205,0368
500 ---------- $1.147,6541
Auf Lager 1.453
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF21010LSR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF21010LSR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF21010LSR1, MRF21010LSR1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 434,33 KB)
PDFMRF21010LSR1 Datenblatt Cover
MRF21010LSR1 Datenblatt Seite 2 MRF21010LSR1 Datenblatt Seite 3 MRF21010LSR1 Datenblatt Seite 4 MRF21010LSR1 Datenblatt Seite 5 MRF21010LSR1 Datenblatt Seite 6 MRF21010LSR1 Datenblatt Seite 7 MRF21010LSR1 Datenblatt Seite 8

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MRF21010LSR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.17GHz
Gewinn13.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung10W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-360S
LieferantengerätepaketNI-360S

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Frequenz

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Gewinn

11.8dB

Spannungstest

40V

Nennstrom (Ampere)

17A

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

440217

Lieferantengerätepaket

440217

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

13.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

22W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

20GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

70mA

Rauschzahl

0.75dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

S02

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

200MHz

Gewinn

-

Spannungstest

8V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

12V

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

NPT35015D

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

3.3GHz ~ 3.8GHz

Gewinn

10.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

5A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

1.7W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-PSOP2

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