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PD57018STR-E

PD57018STR-E

Nur als Referenz

Teilenummer PD57018STR-E
PNEDA Teilenummer PD57018STR-E
Beschreibung TRANSISTOR RF POWERSO-10
Hersteller STMicroelectronics
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PD57018STR-E Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPD57018STR-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PD57018STR-E, PD57018STR-E Datenblatt (Total Pages: 25, Größe: 958,94 KB)
PDFPD57018STR-E Datenblatt Cover
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PD57018STR-E Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz945MHz
Gewinn16.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)2.5A
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung18W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallPowerSO-10 Exposed Bottom Pad
LieferantengerätepaketPowerSO-10RF (Straight Lead)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

1kHz

Gewinn

-

Spannungstest

15V

Nennstrom (Ampere)

13mA

Rauschzahl

2dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

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TO-92-3

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

2.7GHz ~ 3.1GHz

Gewinn

11.2dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

1.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

AFM907NT1

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

136MHz ~ 941MHz

Gewinn

-

Spannungstest

10.8V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

8.4W

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

16-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

16-DFN (4x6)

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

65A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.9A

Leistung - Leistung

70W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.45GHz

Gewinn

18.6dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

110mA

Leistung - Leistung

12.5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

16-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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