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MHT1108NT1

MHT1108NT1

Nur als Referenz

Teilenummer MHT1108NT1
PNEDA Teilenummer MHT1108NT1
Beschreibung RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.338
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 5 - Nov 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MHT1108NT1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMHT1108NT1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MHT1108NT1, MHT1108NT1 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 298,75 KB)
PDFMHT1108NT1 Datenblatt Cover
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MHT1108NT1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.45GHz
Gewinn18.6dB
Spannungstest32V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest110mA
Leistung - Leistung12.5W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall16-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket16-DFN (4x6)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.4GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

330W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

PTFB260605ELV1XWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BLL8H0514-25U

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.2GHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

SOT467C

Lieferantengerätepaket

SOT467C

MRF282ZR1

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2GHz

Gewinn

11.5dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

75mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-200Z

Lieferantengerätepaket

NI-200Z

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.39GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.9A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

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