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A2T18S260W12NR3

A2T18S260W12NR3

Nur als Referenz

Teilenummer A2T18S260W12NR3
PNEDA Teilenummer A2T18S260W12NR3
Beschreibung AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.268
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

A2T18S260W12NR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA2T18S260W12NR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
A2T18S260W12NR3, A2T18S260W12NR3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 316,34 KB)
PDFA2T18S260W12NR3 Datenblatt Cover
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A2T18S260W12NR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.805GHz ~ 1.88GHz
Gewinn18.7dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest1.5A
Leistung - Leistung280W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallOM-880X-2L2L
LieferantengerätepaketOM-880X-2L2L

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-

Rauschzahl

-

Stromtest

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Leistung - Leistung

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Spannung - Nennspannung

-

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-

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-

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Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

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Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

M243

Lieferantengerätepaket

M243

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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