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MRF6VP21KHR6

MRF6VP21KHR6

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6VP21KHR6
PNEDA Teilenummer MRF6VP21KHR6
Beschreibung FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.586
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF6VP21KHR6 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6VP21KHR6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6VP21KHR6, MRF6VP21KHR6 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 742,13 KB)
PDFMRF6VP21KHR6 Datenblatt Cover
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MRF6VP21KHR6 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz225MHz
Gewinn24dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest150mA
Leistung - Leistung1000W
Spannung - Nennspannung110V
Paket / FallNI-1230
LieferantengerätepaketNI-1230

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Hersteller

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Gewinn

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2.8dB

Stromtest

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Hersteller

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Frequenz

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Gewinn

14.5dB

Spannungstest

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Leistung - Leistung

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Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

-

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

40A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

390W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

15.9dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.8A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-36260-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

80mA

Leistung - Leistung

4.5W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

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