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3SK318YB-TL-E

3SK318YB-TL-E

Nur als Referenz

Teilenummer 3SK318YB-TL-E
PNEDA Teilenummer 3SK318YB-TL-E
Beschreibung TRANS N-CH CMPAK-4
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis
1 ---------- $0,4055
500 ---------- $0,3865
1.000 ---------- $0,3675
2.500 ---------- $0,3485
5.000 ---------- $0,3326
10.000 ---------- $0,3168
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3SK318YB-TL-E Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer3SK318YB-TL-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
3SK318YB-TL-E, 3SK318YB-TL-E Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 286,46 KB)
PDF3SK318YB-TL-E Datenblatt Cover
3SK318YB-TL-E Datenblatt Seite 2 3SK318YB-TL-E Datenblatt Seite 3 3SK318YB-TL-E Datenblatt Seite 4 3SK318YB-TL-E Datenblatt Seite 5 3SK318YB-TL-E Datenblatt Seite 6 3SK318YB-TL-E Datenblatt Seite 7 3SK318YB-TL-E Datenblatt Seite 8 3SK318YB-TL-E Datenblatt Seite 9 3SK318YB-TL-E Datenblatt Seite 10

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3SK318YB-TL-E Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
TransistortypN-Channel Dual Gate
Frequenz-
Gewinn21dB
Spannungstest3.5V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl1.4dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung6V
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketCMPAK-4

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

5A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Straight Lead)

LET9060STR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

17.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

12A

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

80V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Straight Lead)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

870MHz

Gewinn

17.3dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

CGH27030S

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

6GHz

Gewinn

18.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

84V

Paket / Fall

12-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

12-DFN (4x3)

PTFA261301F V1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.68GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

130W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-31260-2

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