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MRF7S19170HSR5

MRF7S19170HSR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF7S19170HSR5
PNEDA Teilenummer MRF7S19170HSR5
Beschreibung FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.758
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF7S19170HSR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF7S19170HSR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF7S19170HSR5, MRF7S19170HSR5 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 956,55 KB)
PDFMRF7S19170HSR5 Datenblatt Cover
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MRF7S19170HSR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.99GHz
Gewinn17.2dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.4A
Leistung - Leistung50W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-880S
LieferantengerätepaketNI-880S

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Frequenz

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Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

18A

Rauschzahl

-

Stromtest

720mA

Leistung - Leistung

16W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1121A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

SD2933-03

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

30MHz

Gewinn

23.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

40A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

M177

Lieferantengerätepaket

M177

BF510,215

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

100MHz

Gewinn

-

Spannungstest

10V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

5mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

20V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

LET16045C

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.6GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

9A

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

80V

Paket / Fall

M243

Lieferantengerätepaket

M243

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.7GHz ~ 3GHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

65V

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