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A2T18S165-12SR3

A2T18S165-12SR3

Nur als Referenz

Teilenummer A2T18S165-12SR3
PNEDA Teilenummer A2T18S165-12SR3
Beschreibung AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.316
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 2 - Jan 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

A2T18S165-12SR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA2T18S165-12SR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
A2T18S165-12SR3, A2T18S165-12SR3 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 407,27 KB)
PDFA2T18S165-12SR3 Datenblatt Cover
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A2T18S165-12SR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.805GHz ~ 1.995GHz
Gewinn18dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest800mA
Leistung - Leistung148W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780-2S2L
LieferantengerätepaketNI-780-2S2L

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

400MHz

Gewinn

-

Spannungstest

15V

Nennstrom (Ampere)

5mA

Rauschzahl

4dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

81.36MHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

150V

Nennstrom (Ampere)

9A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

90W

Spannung - Nennspannung

450V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

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Transistortyp

LDMOS

Frequenz

746MHz ~ 821MHz

Gewinn

20.5dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

225W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

HBSOF-4-1

Lieferantengerätepaket

PG-HBSOF-4-1

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

17.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

56W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

ATF-54143-TR1

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

16.6dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

120mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

60mA

Leistung - Leistung

20.4dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

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