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NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE3513M04-T2-A
PNEDA Teilenummer NE3513M04-T2-A
Beschreibung FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
Hersteller CEL
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Auf Lager 5.076
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 27 - Feb 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE3513M04-T2-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE3513M04-T2-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
NE3513M04-T2-A, NE3513M04-T2-A Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 2.180,89 KB)
PDFNE3513M04-A Datenblatt Cover
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NE3513M04-T2-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypN-Channel GaAs HJ-FET
Frequenz12GHz
Gewinn13dB
Spannungstest2V
Nennstrom (Ampere)60mA
Rauschzahl0.65dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung125mW
Spannung - Nennspannung4V
Paket / FallSOT-343F
LieferantengerätepaketM04

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

400MHz

Gewinn

30dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1dB

Stromtest

18mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

6V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

CMPAK-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

720MHz ~ 960MHz

Gewinn

18.9dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

688mA

Leistung - Leistung

120W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

OM-1230-4L

Lieferantengerätepaket

OM-1230-4L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.03GHz

Gewinn

20.3dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

275W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.45GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

140W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

BLF9G20LS-160VJ

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

19.8dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

35.5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1120B

Lieferantengerätepaket

LDMOST

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MF-R090

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IS34ML01G081-TLI-TR

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SA56004EDP,118

SA56004EDP,118

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JAN2N2222A

JAN2N2222A

Microsemi

TRANS NPN 50V 0.8A

PA0277NL

PA0277NL

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FIXED IND 700NH 10.7A 95 MOHM

D45VH10G

D45VH10G

ON Semiconductor

TRANS PNP 80V 15A TO220AB

BYV27-100-TR

BYV27-100-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 100V 2A SOD57

74438356150

74438356150

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FIXED IND 15UH 1.9A 230MOHM SMD

AD5624RBRMZ-3REEL7

AD5624RBRMZ-3REEL7

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BNX026H01L

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N25Q256A13EF840E

N25Q256A13EF840E

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EDBA232B2PB-1D-F-D

EDBA232B2PB-1D-F-D

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