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A2V09H525-04NR6

A2V09H525-04NR6

Nur als Referenz

Teilenummer A2V09H525-04NR6
PNEDA Teilenummer A2V09H525-04NR6
Beschreibung AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.030
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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A2V09H525-04NR6 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA2V09H525-04NR6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
A2V09H525-04NR6, A2V09H525-04NR6 Datenblatt (Total Pages: 25, Größe: 692,06 KB)
PDFA2V09H525-04NR6 Datenblatt Cover
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A2V09H525-04NR6 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz720MHz ~ 960MHz
Gewinn18.9dB
Spannungstest48V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest688mA
Leistung - Leistung120W
Spannung - Nennspannung105V
Paket / FallOM-1230-4L
LieferantengerätepaketOM-1230-4L

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.5GHz ~ 2.7GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

28A

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

225MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.81GHz

Gewinn

16.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

63W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230-4LS2L

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4LS2L

BLA1011-2,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.03GHz ~ 1.09GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

36V

Nennstrom (Ampere)

2.2A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

75V

Paket / Fall

SOT-538A

Lieferantengerätepaket

2-CSMD

VRF148A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

100µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

170V

Paket / Fall

M113

Lieferantengerätepaket

M113

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