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MMDF3N04HDR2G

MMDF3N04HDR2G

Nur als Referenz

Teilenummer MMDF3N04HDR2G
PNEDA Teilenummer MMDF3N04HDR2G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.646
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMDF3N04HDR2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMDF3N04HDR2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
MMDF3N04HDR2G, MMDF3N04HDR2G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 134,22 KB)
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MMDF3N04HDR2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 32V
Leistung - max1.39W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

45V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

2N7334

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

MO-036AB

IRF7555TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1066pF @ 10V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

Micro8™

CSD87503Q3E

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 15V

Leistung - max

15.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

8-VSON (3.3x3.3)

APTMC120TAM33CTPAG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

78A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 60A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 3mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

148nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2850pF @ 1000V

Leistung - max

370W

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