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APTMC120TAM33CTPAG

APTMC120TAM33CTPAG

Nur als Referenz

Teilenummer APTMC120TAM33CTPAG
PNEDA Teilenummer APTMC120TAM33CTPAG
Beschreibung MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.420
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Voraussichtliche Lieferung Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APTMC120TAM33CTPAG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTMC120TAM33CTPAG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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APTMC120TAM33CTPAG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-FunktionSilicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 60A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 3mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs148nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2850pF @ 1000V
Leistung - max370W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP6
LieferantengerätepaketSP6-P

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

700mA, 600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

113pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

TPD3215M

Transphorm

Hersteller

Transphorm

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 30A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2260pF @ 100V

Leistung - max

470W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTM50HM75STG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

Leistung - max

357W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

DMGD7N45SSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

450V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

256pF @ 25V

Leistung - max

1.64W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRF7751GTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1464pF @ 25V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

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