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MJD210T4G

MJD210T4G

Nur als Referenz

Teilenummer MJD210T4G
PNEDA Teilenummer MJD210T4G
Beschreibung TRANS PNP 25V 5A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 36.414
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MJD210T4G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMJD210T4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
MJD210T4G, MJD210T4G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 149,69 KB)
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MJD210T4G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)25V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.8V @ 1A, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce45 @ 2A, 1V
Leistung - max1.4W
Frequenz - Übergang65MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

700V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 2A, 4.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2.25 @ 4.5A, 5V

Leistung - max

60W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

PBSS303PD,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

675mV @ 600mA, 6A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 500mA, 2V

Leistung - max

1.1W

Frequenz - Übergang

110MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

BC550CBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

DSCQ00100L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V

Leistung - max

100mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-1123

Lieferantengerätepaket

USSMini3-F1-B

MJW21195G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 3.2A, 16A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 8A, 5V

Leistung - max

200W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247

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