BU806
Nur als Referenz
| Teilenummer | BU806 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | BU806 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Central Semiconductor Corp | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 67 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 11 - Jan 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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BU806 Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BU806 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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BU806 Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 400V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 50mA, 5A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Leistung - max | 60W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 100mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 1A, 2V Leistung - max 1.1W Frequenz - Übergang 72MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket SOT-23-6 |
