MJW21195G
Nur als Referenz
| Teilenummer | MJW21195G |
| PNEDA Teilenummer | MJW21195G |
| Beschreibung | TRANS PNP 250V 16A TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.724 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 12 - Mär 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MJW21195G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MJW21195G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MJW21195G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 16A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 250V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 3.2A, 16A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 8A, 5V |
| Leistung - max | 200W |
| Frequenz - Übergang | 4MHz |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V Leistung - max 2W Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V Leistung - max 700mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V Leistung - max 3.2W Frequenz - Übergang 130MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerDI™ 5 Lieferantengerätepaket PowerDI™ 5 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 2mA, 1V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
