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MG12400D-BN2MM

MG12400D-BN2MM

Nur als Referenz

Teilenummer MG12400D-BN2MM
PNEDA Teilenummer MG12400D-BN2MM
Beschreibung IGBT 1200V 580A 1925W PKG D
Hersteller Littelfuse
Stückpreis
1 ---------- $2.341,9241
50 ---------- $2.232,1464
100 ---------- $2.122,3687
200 ---------- $2.012,5910
400 ---------- $1.921,1096
500 ---------- $1.829,6282
Auf Lager 1.634
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MG12400D-BN2MM Ressourcen

Marke Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMG12400D-BN2MM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MG12400D-BN2MM, MG12400D-BN2MM Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 1.352,66 KB)
PDFMG12400D-BN2MM Datenblatt Cover
MG12400D-BN2MM Datenblatt Seite 2 MG12400D-BN2MM Datenblatt Seite 3 MG12400D-BN2MM Datenblatt Seite 4 MG12400D-BN2MM Datenblatt Seite 5

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MG12400D-BN2MM Technische Daten

HerstellerLittelfuse Inc.
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)580A
Leistung - max1925W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 400A (Typ)
Strom - Kollektorabschaltung (max.)2mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce28nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketD3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

4150W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 650A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT50H60T2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Leistung - max

176W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP2

Lieferantengerätepaket

SP2

GSID200A170S3B1

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

Amp+™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1630W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

APTGT100A602G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

340W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SP2

Lieferantengerätepaket

SP2

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

750A

Leistung - max

1563W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.52V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Dual INT-A-PAK (3 + 8)

Lieferantengerätepaket

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