FF650R17IE4VBOSA1
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| Teilenummer | FF650R17IE4VBOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FF650R17IE4VBOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1700V 650A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.642 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FF650R17IE4VBOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FF650R17IE4VBOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FF650R17IE4VBOSA1, FF650R17IE4VBOSA1 Datenblatt
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FF650R17IE4VBOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | 2 Independent |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Leistung - max | 4150W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500A Leistung - max 1645W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 21.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK |
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