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VS-GT200TP065N

VS-GT200TP065N

Nur als Referenz

Teilenummer VS-GT200TP065N
PNEDA Teilenummer VS-GT200TP065N
Beschreibung IGBT
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.708
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-GT200TP065N Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-GT200TP065N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-GT200TP065N, VS-GT200TP065N Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 140,7 KB)
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VS-GT200TP065N Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-TypTrench
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)221A
Leistung - max600W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.12V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)60µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallINT-A-Pak
LieferantengerätepaketINT-A-PAK

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

3000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

CM75DY-28H

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

15nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF90A60T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

416W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 90A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

VS-GB150TS60NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

138A

Leistung - max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

FP25R12KT4B15BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Leistung - max

160W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.45nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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