VS-GT200TP065N Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
VS-GT200TP065N
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 221A Leistung - max 600W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.12V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 60µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall INT-A-Pak Lieferantengerätepaket INT-A-PAK |
