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IXZR18N50A-00

IXZR18N50A-00

Nur als Referenz

Teilenummer IXZR18N50A-00
PNEDA Teilenummer IXZR18N50A-00
Beschreibung RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
Hersteller IXYS-RF
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Auf Lager 5.508
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXZR18N50A-00 Ressourcen

Marke IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXZR18N50A-00
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
IXZR18N50A-00, IXZR18N50A-00 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 160,78 KB)
PDFIXZR18N50 Datenblatt Cover
IXZR18N50 Datenblatt Seite 2 IXZR18N50 Datenblatt Seite 3 IXZR18N50 Datenblatt Seite 4

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IXZR18N50A-00 Technische Daten

HerstellerIXYS-RF
SerieZ-MOS™
TransistortypN-Channel
Frequenz65MHz
Gewinn23dB
Spannungstest100V
Nennstrom (Ampere)19A
Rauschzahl-
Stromtest-
Leistung - Leistung350W
Spannung - Nennspannung500V
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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-

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85W

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NI-780S

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Nennstrom (Ampere)

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Rauschzahl

-

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55W

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65V

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SOT502B

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

19.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

120W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT1275-3

Lieferantengerätepaket

DFM6

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

22W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

ATF-551M4-BLK

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

2.7V

Nennstrom (Ampere)

100mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

14.6dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

0505 (1412 Metric)

Lieferantengerätepaket

MiniPak 1412

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