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BLF6G10LS-160RN:11

BLF6G10LS-160RN:11

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G10LS-160RN:11
PNEDA Teilenummer BLF6G10LS-160RN-11
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B
Hersteller Ampleon
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BLF6G10LS-160RN:11 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G10LS-160RN:11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF6G10LS-160RN:11, BLF6G10LS-160RN:11 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 978,26 KB)
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BLF6G10LS-160RN:11 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz922.5MHz ~ 957.5MHz
Gewinn22.5dB
Spannungstest32V
Nennstrom (Ampere)39A
Rauschzahl-
Stromtest1.2A
Leistung - Leistung32W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502B
LieferantengerätepaketSOT502B

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

40A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

M244

Lieferantengerätepaket

M244

NPT35015D

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

3.3GHz ~ 3.8GHz

Gewinn

10.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

5A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

1.7W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-PSOP2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.09GHz

Gewinn

25dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

STAC2932B

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

-

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

40A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

390W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

STAC244B

Lieferantengerätepaket

STAC244B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

2.5GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

125W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

NI-360H-2SB

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