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VMMK-1225-TR1G

VMMK-1225-TR1G

Nur als Referenz

Teilenummer VMMK-1225-TR1G
PNEDA Teilenummer VMMK-1225-TR1G
Beschreibung FET RF 5V 12GHZ 0402
Hersteller Broadcom
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Auf Lager 6.624
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VMMK-1225-TR1G Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVMMK-1225-TR1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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VMMK-1225-TR1G Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
TransistortypE-pHEMT
Frequenz12GHz
Gewinn11dB
Spannungstest2V
Nennstrom (Ampere)50mA
Rauschzahl1dB
Stromtest20mA
Leistung - Leistung8dBm
Spannung - Nennspannung5V
Paket / Fall0402 (1005 Metric)
Lieferantengerätepaket0402

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.16GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.05A

Leistung - Leistung

23W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

850mA

Leistung - Leistung

18W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

BLF0910H9LS600J

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

900MHz ~ 930MHz

Gewinn

18.6dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

90mA

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

108V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

PTF080101S V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H32259-2

Lieferantengerätepaket

H-32259-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.4GHz

Gewinn

17.7dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

NI-1230-4S

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4S

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