IXYP10N65C3D1M
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| Teilenummer | IXYP10N65C3D1M |
| PNEDA Teilenummer | IXYP10N65C3D1M |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.320 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXYP10N65C3D1M Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYP10N65C3D1M |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXYP10N65C3D1M Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | XPT™, GenX3™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 15A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 50A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 53W |
| Schaltenergie | 240µJ (on), 170µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 18nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/77ns |
| Testbedingung | 400V, 10A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 26ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 Isolated Tab |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 5V, 14A Leistung - max 125W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 900ns/6µs Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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