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IXA12IF1200TC-TUB

IXA12IF1200TC-TUB

Nur als Referenz

Teilenummer IXA12IF1200TC-TUB
PNEDA Teilenummer IXA12IF1200TC-TUB
Beschreibung IGBT 1200V 20A 85W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.470
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IXA12IF1200TC-TUB Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXA12IF1200TC-TUB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXA12IF1200TC-TUB, IXA12IF1200TC-TUB Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 150,66 KB)
PDFIXA12IF1200TC-TUB Datenblatt Cover
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IXA12IF1200TC-TUB Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 10A
Leistung - max85W
Schaltenergie1.1mJ (on), 1.1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge27nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung600V, 10A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)350ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268AA

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

60µJ (on), 50µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/116ns

Testbedingung

400V, 4A, 43Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3-313

FGA6540WDF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

238W

Schaltenergie

1.37mJ (on), 250µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16.8ns/54.4ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

101ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

NGTB30N65IHL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/145ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

430ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

86A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

480W

Schaltenergie

2.7mJ (on), 1.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/177ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

AOTF5B65M1

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

15A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.98V @ 15V, 5A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

80µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8.5ns/106ns

Testbedingung

400V, 5A, 60Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

195ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220

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