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IXYH60N90C3

IXYH60N90C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH60N90C3
PNEDA Teilenummer IXYH60N90C3
Beschreibung IGBT 900V 140A 750W C3 TO-247
Hersteller IXYS
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IXYH60N90C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH60N90C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXYH60N90C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)900V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)140A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)310A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 60A
Leistung - max750W
Schaltenergie2.7mJ (on), 1.55mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge107nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/87ns
Testbedingung450V, 60A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD

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Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

72W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

94nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/143ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

225ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

STGW35HF60WDI

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

185µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/175ns

Testbedingung

390V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRG6B330UDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.76V @ 15V, 120A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/176ns

Testbedingung

196V, 25A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

85µJ (on), 95µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/70ns

Testbedingung

300V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

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60ns

Betriebstemperatur

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