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IXYH40N120C3D1

IXYH40N120C3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH40N120C3D1
PNEDA Teilenummer IXYH40N120C3D1
Beschreibung IGBT 1200V 64A 480W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.228
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IXYH40N120C3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH40N120C3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYH40N120C3D1, IXYH40N120C3D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 216,46 KB)
PDFIXYH40N120C3D1 Datenblatt Cover
IXYH40N120C3D1 Datenblatt Seite 2 IXYH40N120C3D1 Datenblatt Seite 3 IXYH40N120C3D1 Datenblatt Seite 4 IXYH40N120C3D1 Datenblatt Seite 5 IXYH40N120C3D1 Datenblatt Seite 6 IXYH40N120C3D1 Datenblatt Seite 7

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IXYH40N120C3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)64A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 40A
Leistung - max480W
Schaltenergie3.9mJ (on), 660µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge85nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.24ns/125ns
Testbedingung600V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)195ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXYH)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

46A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

313W

Schaltenergie

3.7mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/730ns

Testbedingung

800V, 25A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

3.47mJ (on), 2.16mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/127ns

Testbedingung

960V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IXBH40N160

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

33A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

960V, 20A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

STGP35HF60W

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

290µJ (on), 185µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/175ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

113A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

170A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

900µJ (on), 905µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

185nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/100ns

Testbedingung

600V, 45A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

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