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IXYH10N170C

IXYH10N170C

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH10N170C
PNEDA Teilenummer IXYH10N170C
Beschreibung IGBT 1.7KV 36A TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.108
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXYH10N170C Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH10N170C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYH10N170C, IXYH10N170C Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 203,63 KB)
PDFIXYH10N170C Datenblatt Cover
IXYH10N170C Datenblatt Seite 2 IXYH10N170C Datenblatt Seite 3 IXYH10N170C Datenblatt Seite 4 IXYH10N170C Datenblatt Seite 5 IXYH10N170C Datenblatt Seite 6

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IXYH10N170C Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieXPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)36A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)84A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.8V @ 15V, 10A
Leistung - max280W
Schaltenergie1.4mJ (on), 700µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge46nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.14ns/130ns
Testbedingung850V, 10A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)17ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXYH)

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FGH60N60SFDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

378W

Schaltenergie

1.79mJ (on), 670µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

198nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/134ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

47ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

RJH60A01RDPD-A0#J2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 5A

Leistung - max

29.4W

Schaltenergie

130µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

11nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/40ns

Testbedingung

300V, 5A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

IRG4RC20FTRR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

44A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

66W

Schaltenergie

190µJ (on), 920µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/194ns

Testbedingung

480V, 12A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

225A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

460A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 70A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

1.27mJ (on), 2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

168nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/150ns

Testbedingung

400V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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