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RJH60A01RDPD-A0#J2

RJH60A01RDPD-A0#J2

Nur als Referenz

Teilenummer RJH60A01RDPD-A0#J2
PNEDA Teilenummer RJH60A01RDPD-A0-J2
Beschreibung IGBT 600V 5A
Hersteller Renesas Electronics America
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RJH60A01RDPD-A0#J2 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH60A01RDPD-A0#J2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
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RJH60A01RDPD-A0#J2 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 5A
Leistung - max29.4W
Schaltenergie130µJ (on), 70µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge11nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/40ns
Testbedingung300V, 5A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketTO-252

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Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 75A

Leistung - max

556W

Schaltenergie

3.77mJ (on), 2.04mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

109nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/175ns

Testbedingung

400V, 75A, 4Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

295ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG4PC30UDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

380µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/91ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

NGTG15N60S1EG

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 15A

Leistung - max

117W

Schaltenergie

550µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

88nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

65ns/170ns

Testbedingung

400V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

6.5mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

48ns/480ns

Testbedingung

600V, 40A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

195ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

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Eingabetyp

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Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Paket / Fall

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