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IGD06N60TATMA1

IGD06N60TATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGD06N60TATMA1
PNEDA Teilenummer IGD06N60TATMA1
Beschreibung IGBT 600V 12A 88W TO252-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.632
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IGD06N60TATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGD06N60TATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IGD06N60TATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 6A
Leistung - max88W
Schaltenergie200µJ
EingabetypStandard
Gate Charge42nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.9ns/130ns
Testbedingung400V, 6A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketPG-TO252-3

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

Leistung - max

260.4W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

74nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

53ns/90ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

APT25GR120B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

521W

Schaltenergie

742µJ (on), 427µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/122ns

Testbedingung

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

AOK40B65H1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

1.27mJ (on), 460µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

63nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/130ns

Testbedingung

400V, 40A, 7.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

346ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

RJP4009ANS-01#Q6

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

9V @ 2.5V, 150A

Leistung - max

1.8W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-VSON (3x4.4)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

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Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/139ns

Testbedingung

400V, 50A, 8.2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Paket / Fall

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