IXXN110N65B4H1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXXN110N65B4H1 |
| PNEDA Teilenummer | IXXN110N65B4H1 |
| Beschreibung | IGBT 650V 215A 750W SOT227B |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 9.096 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 1 - Feb 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXXN110N65B4H1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXXN110N65B4H1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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IXXN110N65B4H1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX4™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 215A |
| Leistung - max | 750W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 110A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.65nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227B |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 440A Leistung - max 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 8mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 20nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-3 Module Lieferantengerätepaket D3 |
