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IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXXN110N65B4H1
PNEDA Teilenummer IXXN110N65B4H1
Beschreibung IGBT 650V 215A 750W SOT227B
Hersteller IXYS
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Auf Lager 9.096
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXXN110N65B4H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXN110N65B4H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
IXXN110N65B4H1, IXXN110N65B4H1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 217,06 KB)
PDFIXXN110N65B4H1 Datenblatt Cover
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IXXN110N65B4H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX4™, XPT™
IGBT-TypPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)215A
Leistung - max750W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 110A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce3.65nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227B

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

450A

Leistung - max

1000000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

84nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

AG-XHP100-6

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

90W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

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Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

145A

Leistung - max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

25µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.93nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

FS75R12KT4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FF45R12W1J1B11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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