FS150R17N3E4B11BOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | FS150R17N3E4B11BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FS150R17N3E4B11BOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 650V 150A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.870 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FS150R17N3E4B11BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FS150R17N3E4B11BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FS150R17N3E4B11BOSA1, FS150R17N3E4B11BOSA1 Datenblatt
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FS150R17N3E4B11BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Leistung - max | 835W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 150A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 13.5nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300A Leistung - max 1389W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.87V @ 15V, 150A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 10.6nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK |
