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IXSH45N100

IXSH45N100

Nur als Referenz

Teilenummer IXSH45N100
PNEDA Teilenummer IXSH45N100
Beschreibung IGBT 1000V 75A 300W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.510
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IXSH45N100 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSH45N100
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXSH45N100, IXSH45N100 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 103,53 KB)
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IXSH45N100 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)180A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 45A
Leistung - max300W
Schaltenergie15mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge165nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.80ns/400ns
Testbedingung800V, 45A, 2.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXSH)

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

258W

Schaltenergie

300µJ (on), 960µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31.6ns/115ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

HGTP7N60B3D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

160µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/130ns

Testbedingung

480V, 7A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

RGCL60TS60DGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

111W

Schaltenergie

770µJ (on), 1.11mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/186ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

IRGP4063DPBF

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

144A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 48A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

625µJ (on), 1.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/145ns

Testbedingung

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

115ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

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21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

300V, 7A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

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Through Hole

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